由于现行射频前端元件制造商依手机通信元件功能需求,逐渐以砷化镓(GaAs)晶圆作为元件的制造材料,加上5G布建逐步展开,射频元件使用量较4G时代倍增,预期GaAs射频元件市场将自2020年起进入新一波成长期。

砷化镓 半导体

研究机构指出,由于射频前端元件特性是耐高电压、耐高温及高频等,在4G与5G时代有高度需求,传统如HBT和CMOS的硅(Si)元件已无法满足,厂商逐渐转向GaAs化合物半导体。

业内人士强调,GaAs化合物半导体的电子迁移率较Si快速,且具有抗干扰、低噪声与耐高电压等特性,因此特别适合应用于无线通信中的高频传输领域。

由于4G时代的手机通信频率使用范围已进展至1.8~2.7GHz,对传统3G的Si射频前端元件已不敷使用,加上5G通信市场正步入高速成长期,使用频段也将更广泛,包含3-5GHz、20-30GHz,因此无论是4G或5G通信应用,现行射频元件都将逐渐被GaAs取代。

若以目前市场发展来看,受2018年下半年手机销量下滑、中美贸易战影响,冲击GaAs通信元件IDM厂营收表现,预估2019年IDM厂总营收将下滑至58.35亿美元(单位下同),年减8.9%。

不过,随5G持续发展,射频前端元件使用数量将显著提升,如功率放大器(PA)使用量,由3G时代的2颗、4G的5-7颗,倍增至5G时代的16颗,将带动2020年IDM厂整体营收,预估GaAs射频前端元件总营收将达64.92亿元,年增11.3%。

整体而言,各国持续投资5G基站等基础设施,预估2021、2022年将达高峰,加上射频前端元件使用量较4G时代翻倍,可望成为IDM厂如思佳讯(Skyworks)、科沃(Qorvo)新一波营收成长动能,而台厂射频代工制造业稳懋、宏捷科、环宇等也将受惠,摆脱营收衰退阴霾。

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